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AOK20B120D1技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
  • 技术参数:IGBT 1200V 20A TO-247
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AOK20B120D1技术参数详情说明:

AOK20B120D1是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的Alpha IGBT系列中的一款高性能绝缘栅双极型晶体管。该器件采用先进的沟槽场截止技术,在单芯片上集成了快速恢复二极管,实现了优化的载流子寿命控制。这种架构在保持高阻断电压能力的同时,显著降低了导通压降和开关损耗,其集电极-发射极饱和压降Vce(on)在典型工作条件下(15V栅极驱动,20A集电极电流)仅为1.8V,体现了优异的传导效率。

该芯片的核心优势在于其出色的开关性能与鲁棒性的平衡。其关断开关能量被控制在940J,配合152ns的典型关断延迟时间,使得它在高频开关应用中能有效降低开关损耗,提升系统整体效率。高达1200V的集射极击穿电压和40A的连续集电极电流额定值,为其在高压大电流场景下的稳定运行提供了坚实基础,脉冲电流能力更可达80A,足以应对瞬间的负载冲击。标准输入类型和67.5nC的栅极电荷,意味着它对驱动电路的要求较为友好,易于设计和控制。

在接口与参数方面,AOK20B120D1采用经典的TO-247-3通孔封装,具有良好的机械强度和散热能力,最大功耗为340W。其宽泛的工作结温范围(-55°C至175°C)确保了器件在苛刻环境下的可靠性。这些特性使其非常适用于要求高效率和高功率密度的场合。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的AOS总代理进行采购与咨询。

基于其技术特性,AOK20B120D1的理想应用场景主要集中在工业电源与新能源领域。它常被用于光伏逆变器的DC-AC转换级、不同断电源(UPS)的功率输出模块以及工业电机驱动器中,作为关键的功率开关元件。其高耐压和高电流处理能力,也使其适用于电焊机、感应加热等对功率要求严苛的设备,能够有效提升整机能效和功率密度,是工程师设计下一代高效能电力电子系统的可靠选择。

  • 制造商产品型号:AOK20B120D1
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:IGBT 1200V 20A TO-247
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:Alpha IGBT
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:-
  • 电压-集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):40A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):80A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):1.8V @ 15V,20A
  • 功率-最大值:340W
  • 开关能量:940J(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:67.5nC
  • 25°C时Td(开/关)值:-/152ns
  • 测试条件:600V,20A,15 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-3
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

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