AOK66613技术参数

AOK66613是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的高性能N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的AlphaSGT产品系列。该器件采用优化的超级结技术（Super Junction）结构，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的卓越平衡。其核心设计旨在显著降低传导损耗和开关损耗，这对于提升系统整体效率、减少热设计复杂度至关重要，尤其适用于高频开关应用环境。

该MOSFET具备60V的漏源击穿电压（Vdss），提供了稳健的电压裕量。其导通电阻（Rds(On)）在Vgs=10V、Id=20A的条件下典型值低至2.5毫欧，这一特性直接转化为更低的通态压降和功率耗散。同时，器件拥有出色的电流处理能力，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流可达120A，在环境温度（Ta）下为58.5A，确保了在高负载应用中的可靠性。其栅极电荷（Qg）最大值仅为110nC @ 10V，结合较低的输入电容（Ciss），意味着驱动电路所需的开关能量更少，能够实现更快的开关速度和更高的频率运行，从而优化了电源拓扑结构的动态性能。

在接口与参数方面，AOK66613采用工业标准的TO-247通孔封装，具有良好的机械强度和散热性能，其最大结温（TJ）高达175°C，适应严苛的工作环境。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了宽裕且安全的驱动电压窗口。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取产品、数据手册以及设计协助。器件的功率耗散能力在壳温（Tc）条件下高达312W，展现了其卓越的热性能。

基于其高电压、大电流、低损耗的特性组合，AOK66613非常适合于要求高效率和高功率密度的应用场景。典型应用包括服务器和电信设备的DC-DC转换器、不间断电源（UPS）系统、电机驱动与控制、以及各类工业电源和新能源领域如太阳能逆变器中的功率开关部分。其稳健的设计使其成为工程师在构建高效、可靠功率解决方案时的优选功率开关器件。

• 型号:AOK66613
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 58.5A/120A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):58.5A（Ta），120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:8V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:110 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:15.6W（Ta），312W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247
• 封装/外壳:TO-247-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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