AON6226技术参数

AON6226是一款采用先进AlphaSGT技术平台开发的N沟道功率MOSFET，其核心设计旨在实现高功率密度与高效率的平衡。该器件采用优化的单元结构和先进的沟槽工艺，显著降低了单位面积的导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关特性。其紧凑的8-DFN-EP（5x6）封装集成了裸露焊盘（EP），为高功率应用提供了卓越的散热路径，确保芯片结温（TJ）在-55°C至150°C的宽工作温度范围内稳定可靠。

该MOSFET的关键性能体现在其100V的漏源击穿电压（Vdss）和高达48A的连续漏极电流（Id）能力上，使其能够承受较高的功率等级。其导通电阻在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，最大值仅为7.9毫欧，这一低Rds(on)特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。此外，其栅极阈值电压（Vgs(th)）典型值较低，最大值为2.3V @ 250A，配合最大60nC的栅极总电荷（Qg），意味着它能够被快速驱动，减少开关过渡时间，从而降低开关损耗，尤其适合高频开关应用。

在接口与参数方面，AON6226支持最大±20V的栅源电压，提供了足够的驱动安全裕量。其输入电容（Ciss）在50V漏源电压下最大为3130pF，与低Qg特性共同决定了其动态性能。器件在壳温（Tc）条件下的最大功率耗散为108W，结合表面贴装（SMT）封装，便于自动化生产并节省PCB空间。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取该产品及相关设计资源。

基于其高耐压、大电流和低损耗的特性，AON6226非常适用于对效率和功率密度有严苛要求的应用场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流电路、电机驱动控制模块、大电流负载开关以及各类工业电源的功率转换级。其稳健的设计使其成为构建高效、紧凑型功率解决方案的核心组件。

• 制造商产品型号：AON6226
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 100V 48A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaSGT
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：48A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.9 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：60nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3130pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：108W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON6226现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。