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AOL1414技术参数

  • 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:UltraSO-8
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 14A/85A ULTRASO8
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AOL1414技术参数详情说明:

AOL1414是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款采用先进沟槽MOSFET技术的N沟道功率器件。其核心架构基于优化的单元设计,在紧凑的UltraSO-8封装内实现了极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。该器件利用成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管技术,通过精密的制造工艺控制,确保了在宽温度范围内的稳定性和可靠性,为高密度电源设计提供了高效的功率开关解决方案。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的电流处理能力与极低的功率损耗。在25°C环境温度下,其连续漏极电流(Id)可达14A,而在管壳温度条件下更能承受高达85A的电流,展现了强大的峰值负载能力。其导通电阻(RdsOn)在10V驱动电压、20A电流条件下最大值仅为6.5毫欧,这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时,其栅极电荷(Qg)最大值控制在24nC(@4.5V),结合2520pF的输入电容,有助于实现快速的开关切换并降低驱动电路的损耗,特别适合高频开关应用。

在电气参数方面,AOL1414的漏源击穿电压(Vdss)为30V,栅源电压(Vgs)最大可承受±12V,提供了稳健的操作余量。其阈值电压(Vgs(th))最大值为2V @ 250A,确保了与标准逻辑电平驱动的良好兼容性。器件采用表面贴装型UltraSO-8封装,具有优异的热性能,在管壳温度(Tc)下最大功率耗散可达100W。其宽泛的工作结温范围(-55°C ~ 175°C)使其能够适应苛刻的环境条件。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过官方授权的AOS总代理获取相关技术支持和产品信息。

凭借其高电流密度、低导通电阻和快速开关特性,AOL1414非常适用于空间受限且对效率要求严苛的应用场景。典型应用包括服务器、通信设备的DC-DC同步整流和功率转换模块、电机驱动控制电路、以及各类便携式电子设备中的负载开关和电池保护电路。其优异的性能参数使其成为中低电压、高电流开关电源设计中一款值得考虑的功率器件选择。

  • 制造商产品型号:AOL1414
  • 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 14A/85A ULTRASO8
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:-
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):14A(Ta),85A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):6.5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 250A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):24nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±12V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2520pF @ 15V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):2.08W(Ta),100W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:UltraSO-8
  • 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOL1414现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。

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