AON7754技术参数

AON7754是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下AlphaMOS系列的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术制造。该器件采用紧凑的8-DFN（3x3）表面贴装封装，专为在有限空间内实现高效率、高功率密度而设计。其核心架构优化了单元密度与导通电阻的平衡，通过精心的芯片布局和封装工艺，确保了出色的电气性能和热管理能力。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源电压（Vdss）额定值为30V，适用于常见的12V及24V总线系统。在25°C环境温度下，连续漏极电流（Id）高达24A（Ta），而在管壳温度下更可达到32A（Tc），展现了强大的电流处理能力。其低导通电阻是其核心优势之一，在10V驱动电压（Vgs）和20A电流条件下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为3.6毫欧，这能显著降低导通损耗，提升系统整体效率。此外，其栅极驱动要求适中，栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.4V，标准逻辑电平即可有效驱动。

在动态参数方面，AON7754同样表现优异。在10V Vgs下的栅极总电荷（Qg）最大值仅为40nC，结合1975pF（最大值@15V）的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，尤其适合高频开关应用。器件内部集成了体二极管（肖特基二极管功能），为感性负载提供了续流路径。其坚固性体现在栅源电压（Vgs）可承受±20V的冲击，并且结温（TJ）工作范围宽达-55°C至150°C，保证了在苛刻环境下的可靠性。最大功率耗散在管壳温度（Tc）下可达70W，配合DFN封装良好的热性能，使其能够处理可观的功率。如需获取官方技术支持和供货信息，可联系AOS总代理。

基于其高电流能力、超低导通电阻和快速开关特性，该器件非常适合用于对效率和空间有严苛要求的同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压和升压拓扑）、电机驱动控制以及各类电源管理模块中。它能够有效降低系统热设计难度，提升功率密度，是紧凑型、高效率电源解决方案的理想选择。

• 型号:AON7754
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 24A/32A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Ta），32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1975 pF @ 15 V
• FET 功能:肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta），70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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