AOWF240技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下的一款高性能功率器件，AOWF240是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），专为需要高效率功率转换和开关控制的应用而设计。其核心架构基于先进的MOSFET技术，通过优化的芯片设计和封装工艺，在导通电阻、开关速度和热性能之间取得了出色的平衡，为工程师提供了可靠的功率开关解决方案。

该器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至2.6毫欧（在20A条件下测量），这一极低的导通损耗特性是其核心优势之一，能够显著减少功率转换过程中的热量产生，提升系统整体效率。同时，其栅极电荷（Q_g）最大值仅为72nC（@10V），结合适中的输入电容，确保了快速的开关切换能力，有助于降低开关损耗，尤其适用于高频开关应用。其漏源击穿电压（V_DSS）为40V，提供了足够的电压裕量，增强了系统的可靠性。

在电气参数方面，AOWF240在25°C环境温度下的连续漏极电流（I_D）为21A，而在管壳温度为25°C时，该值可高达83A，展现了其强大的电流处理能力。其栅极阈值电压（V_GS(th)）最大值为2.2V，与标准逻辑电平兼容，便于驱动电路设计。器件采用通孔安装方式，工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功率耗散在特定条件下可达33.3W，具备良好的热性能和环境适应性。如需获取官方技术支持和供货信息，可以联系AOS总代理。

凭借其优异的性能组合，该MOSFET非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。例如，在DC-DC转换器中，它可作为同步整流或主开关管，提升电源模块的转换效率；在电机驱动控制电路中，能够高效地控制电机的启停和调速；此外，在各类电源管理、负载开关以及电池保护电路中，它也能发挥关键作用。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计理念和性能参数仍为后续产品开发提供了有价值的参考。

• 型号:AOWF240
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 21A/83A
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Ta），83A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3510 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），33.3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262F
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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